买卖IC网 >> 产品目录 >> SIS478DN-T1-GE3 MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIS478DN-T1-GE3

库存数量：17910
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET
SIS478DN-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.016 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK 1212-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIS478DN-T1-GE3
SIS488DN-T1-GE3
SIS51000F00A6
SIS5102QP1HT1G
SIS5102QP2HT1G
SIS550
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深圳市金嘉旭贸易有限公司 0755-83259964 金
  • SIS478DN-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.8979999 0.8979999
    25 0.662 16.55
    100 0.608 60.8
    250 0.524 131
    3,000 0.318 954
    6,000 0 0